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Semiconduttori - Discreti
Nexperia

Nexperia Pmdpb58Upe,115

About The 058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On) |NEXPERIA PMDPB58UPE,115.5A, Sot1118; Polarità Transistor:Canale P Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:-4

Mosfet, 2 Canali P, 20V, 3.5A, Sot1118; Polarità Transistor:Canale P Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:-4.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On) ,NEXPERIA PMDPB58UPE,115

Semiconduttori - Discreti

Nexperia Pmdpb58Upe,115

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Multiadattatore, 11.8X15.2Mm, Tssop-8; Conversione Da:8-Tssop; Conversione A:-; Distanza Di Passo:0.65Mm; Passo Fila:12.7Mm; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Altezza Este |ROTH ELEKTRONIK RE933-01ST
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    • Prototyping Board, Dual Inline, Fr4; Tipo Di Scheda:Eurocard; Materiale Scheda:Composto In Vetro Epossidico; Diametro Foro:1Mm; Altezza Esterna:160Mm; Larghezza Esterna:100Mm; Spessore Scheda:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |ROTH ELEKTRONIK RE212-LF
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    • Prototyping Board, Dual Inline, Fr2; Tipo Di Scheda:Eurocard; Materiale Scheda:Carta Epossidica; Diametro Foro:1Mm; Altezza Esterna:160Mm; Larghezza Esterna:100Mm; Spessore Scheda:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |ROTH ELEKTRONIK RE212-HP
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