Solid State 2N6660

Name: Circuiti Stampati E Componenti: Mosfet, Canale N, 60V, 1.7A, To-39; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |SOLID STATE 2N6660
Brand: Solid State
SKU: CAJH-1023565
Price: 7.42 EUR
Availability: InStock

About The Mosfet, Canale N, 60V, 1.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |SOLID STATE 2N6660

Mosfet, Canale N, 60V, 1.7A, To-39; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione ,SOLID STATE 2N6660

Specifications of Solid State 2N6660
Category	Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Solid State 2N6660

About The Mosfet, Canale N, 60V, 1.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |SOLID STATE 2N6660

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Solid State 2N6660

Mosfet Canale N, 55V, 75A, To-247; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:75A; Tensione Drain Source Vds:55V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0065Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |ONSEMI HUF75344G3

Mosfet, Canale P, -60V, 5A, Soic; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.2A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.051Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tension |VISHAY SI7465DP-T1-GE3

Mosfet, Canale P, -40V, 18.6A, Soic; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tens |VISHAY SI7463DP-T1-GE3

Mosfet, Canale P, -100V, 90A To-263; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0156Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Ten |VISHAY SUM90P10-19L-E3

Mosfet, Canale P, -200V, 3.8A, Powerpak; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:-200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.86Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; |VISHAY SI7119DN-T1-GE3

Mosfet, Canale N, 500V, 20A, To-247; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.27Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |VISHAY IRFP460LCPBF..

Mosfet, Canale N, 60V, 1.7A, To-39; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |SOLID STATE 2N6660

Mosfet, Canale N , 500V, 20A, To-220Ab; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.21Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |VISHAY IRFB20N50KPBF..

Mosfet, Canale N, 60V, 1.7A, To-39; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |SOLID STATE 2N6660

Mosfet, Canale N , 500V, 20A, To-220Ab; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.21Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |VISHAY IRFB20N50KPBF..