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Vishay Sum90P10-19L-E3

About The Mosfet, Canale P, -100V, 90A To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0156Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Ten |VISHAY SUM90P10-19L-E3

Mosfet, Canale P, -100V, 90A To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0156Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Ten ,VISHAY SUM90P10-19L-E3

Semiconduttori - Discreti

Vishay Sum90P10-19L-E3

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Vishay Sum90P10-19L-E3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Canale P, -40V, 18.6A, Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.9W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

Mosfet, Canale P, -40V, 18.6A, Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.9W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

Vishay Si7463Dp-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SI7463DP-T1-GE3.

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    • Mosfet, Canale P, -100V, 90A To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0156Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:375W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, Canale P, -100V, 90A To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0156Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:375W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Vishay Sum90P10-19L-E3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SUM90P10-19L-E3.

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    • Mosfet, Canale P, -200V, 3.8A, Powerpak; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:-200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.86Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-4V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.7W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Mosfet, Canale P, -200V, 3.8A, Powerpak; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:-200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.86Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-4V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.7W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Vishay Si7119Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Temperatura Di Esercizio Min:-50°C |VISHAY SI7119DN-T1-GE3.

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    • Mosfet, Canale N , 240V, 200Ma, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:200Ma; Tensione Drain Source Vds:240V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.65V; Dissipazione Di Potenza Pd:360Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale N , 240V, 200Ma, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:200Ma; Tensione Drain Source Vds:240V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.65V; Dissipazione Di Potenza Pd:360Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

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