Mosfet, Canale P, -60V, 5A, Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.2A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.051Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tension ,VISHAY SI7465DP-T1-GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si7465Dp-T1-Ge3
Specifications of Vishay Si7465Dp-T1-Ge3 | |
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