Mosfet, Canale P, -40V, 18.6A, Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.9W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Temperatura Di Esercizio Min:-55°C ,VISHAY SI7463DP-T1-GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si7463Dp-T1-Ge3
Specifications of Vishay Si7463Dp-T1-Ge3 | |
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