reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Vishay

Vishay Si2302Dds-T1-Ge3

About The 045Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.Mosfet, Canale N, 20V, 2

Mosfet, Canale N, 20V, 2.6A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.6A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.045Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Ten ,VISHAY SI2302DDS-T1-GE3

Semiconduttori - Discreti

Vishay Si2302Dds-T1-Ge3

More from Vishay? Mosfet, Canale N, 20V, 2.6A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.6A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.045Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Ten |VISHAY SI2302DDS-T1-GE3
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Vishay Si2302Dds-T1-Ge3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Vishay Si2302Dds-T1-Ge3
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.16 /10
Votes :- 50
Mosfet, Can N, 40V, 12A, Powerpak Sc70-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |VISHAY SIA440DJ-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Can P -20V, -40A, Powerpak1212-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-40A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.003Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; |VISHAY SI7655ADN-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Can N, 60V, 9.6A, Powerpak So-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:9.6A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.009Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |VISHAY SI7370DP-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Can P, 150V, 8.9A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8.9A; Tensione Drain Source Vds:-150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.262Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10 |VISHAY SI7315DN-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 100V, 3.8A, Tsop-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.102Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |VISHAY SI3474DV-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale P, -30V, -7.6A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-7.6A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; |VISHAY SI2369DS-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 20V, 2.6A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.6A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.045Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Ten |VISHAY SI2302DDS-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Load Switch, High Side, 12V, Sc-70-6; Tipo Di Interruttore Di Carico Alimentazione:Lato Alto; Tensione Di Ingresso:12V; Corrente Limite:1.1A; Resistenza Di On:0.165Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:Sc-70; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Circuiti integrati
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 20V, 2.6A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.6A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.045Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Ten |VISHAY SI2302DDS-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Load Switch, High Side, 12V, Sc-70-6; Tipo Di Interruttore Di Carico Alimentazione:Lato Alto; Tensione Di Ingresso:12V; Corrente Limite:1.1A; Resistenza Di On:0.165Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:Sc-70; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Circuiti integrati
  • Vishay