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Vishay Sihb23N60E-Ge3

About The Mosfet, Canale N, 600V, 23A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.132Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |VISHAY SIHB23N60E-GE3

Mosfet, Canale N, 600V, 23A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.132Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens ,VISHAY SIHB23N60E-GE3

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Vishay Sihb23N60E-Ge3

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CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Real Time Clock/Calendar, I2C/Spi, Soic; Formato Calendario:Aaaa:Mm:Sett:Gg:Hr:Min:Secs; Formato Orologio:Binario; Tipo Clock Ci:Clock, Calendario; Tensione Di Alimentazione Min:1.8V; Tensione Di Alimentazione Max:4.2V; |NXP PCF2129AT/2,518
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