Lyontek Ly62L204916Agl-55Sli

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Diode, Small Signal, 100V, Minimelf; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):150Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:8Ns; Corrente Di |VISHAY LL4148-GS08

Vishay Ll4148-Gs08.

Semiconduttori - Discreti

Diodi

Vishay

Raddriz.

Vishay Es1B-E3/61T Ultraveloce, 1A, 100V, Do214Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:920Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:15Ns; Corrent |VISHAY ES1B-E3/61T.

Semiconduttori - Discreti

Diodi

Vishay

Mosfet, Can N, 60V, 0R045, 4A, Soic-8; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.045Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |STMICROELECTRONICS STS4DNF60L

Stmicroelectronics Sts4Dnf60L.

Semiconduttori - Discreti

Transistor

Stmicroelectronics

Sram, 16Mbit, 2048K X 8Bit, Tfbga-48; Dimensione Memoria:16Mbit; Configurazione Memoria Sram:2M X 8Bit; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 2,7V A 3,6V; Modello Case Memoria Ci:Tfbga; No.

Lyontek Ly61L20508Agl-10I Di Pin:48Pin; Tempo Di Acces |LYONTEK LY61L20508AGL-10I.

Sram, 16Mbit, 2048K X 8Bit, Tsop-Ii-44; Dimensione Memoria:16Mbit; Configurazione Memoria Sram:2M X 8Bit; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 2,7V A 3,6V; Modello Case Memoria Ci:Tsop-I; No.

Lyontek Ly61L20508Aml-10I Di Pin:44Pin; Tempo Di Ac |LYONTEK LY61L20508AML-10I.

Sram, 16Mbit, 1024K X 16Bit, Tfbga-48; Dimensione Memoria:16Mbit; Configurazione Memoria Sram:1M X 16Bit; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 2,7V A 3,6V; Modello Case Memoria Ci:Tfbga; No.

Lyontek Ly61L102416Agl-10I Di Pin:48Pin; Tempo Di Acc |LYONTEK LY61L102416AGL-10I.

Sram, 32Mbit, 2048K X 16Bit, Tfbga-48; Dimensione Memoria:32Mbit; Configurazione Memoria Sram:2M X 16Bit; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 2,7V A 3,6V; Modello Case Memoria Ci:Tfbga; No.

Lyontek Ly62L204916Agl-55Sli Di Pin:48Pin; Tempo Di Acc |LYONTEK LY62L204916AGL-55SLI.

Sdram, 256Mbit, 133Mhz, Bga-54; Configurazione Memoria Dram:16M X 16Bit; Modello Case Memoria Ci:Bga; No.

Integrated Silicon Solution (Issi) Is42Vm16160K-75Bli Di Pin:54Pin; Tipo Di Interfaccia Ci:Lvcmos; Tempo Di Accesso:7.5Ns; Formato Pagina:-; Temperatura Di Esercizio Mi |INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42VM16160K-75BLI.

Accessori dispositivi elettronici

Memoria

RAM

Integrated Silicon Solution (Issi)

Sram, 32Mbit, 2048K X 16Bit, Tfbga-48; Dimensione Memoria:32Mbit; Configurazione Memoria Sram:2M X 16Bit; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 2,7V A 3,6V; Modello Case Memoria Ci:Tfbga; No.

Lyontek Ly62L204916Agl-55Sli Di Pin:48Pin; Tempo Di Acc |LYONTEK LY62L204916AGL-55SLI.

Sdram, 256Mbit, 133Mhz, Bga-54; Configurazione Memoria Dram:16M X 16Bit; Modello Case Memoria Ci:Bga; No.

5Ns; Formato Pagina:-; Temperatura Di Esercizio Mi |INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42VM16160K-75BLI.Integrated Silicon Solution (Issi) Is42Vm16160K-75Bli Di Pin:54Pin; Tipo Di Interfaccia Ci:Lvcmos; Tempo Di Accesso:7.