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Lyontek

Lyontek Ly61L20508Agl-10I

About The Di Pin:48Pin; Tempo Di Acces |LYONTEK LY61L20508AGL-10I.

Sram, 16Mbit, 2048K X 8Bit, Tfbga-48; Dimensione Memoria:16Mbit; Configurazione Memoria Sram:2M X 8Bit; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 2,7V A 3,6V; Modello Case Memoria Ci:Tfbga; No. Di Pin:48Pin; Tempo Di Acces ,LYONTEK LY61L20508AGL-10I

Lyontek Ly61L20508Agl-10I

Specifications of Lyontek Ly61L20508Agl-10I

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Chip e circuiti integrati
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Lyontek Ly61L20508Agl-10I
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Rating :- 8.15 /10
Votes :- 50
Reference Design Board, Bldc Motor; Produttore Chip:Silicon Laboratories; Numero Core Chip:C8051F850; Tipo Di Applicazione Kit:Gestione Alimentazione - Motor Control; Sottotipo Applicazione:Motore Bldc; Architettura Core |SILICON LABS C8051F850-BLDC-RD
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  • Schede di sviluppo e tool di valutazione
  • Silicon Labs
    • Scheda Di Avvio, Mcu; Produttore Chip:Silicon Laboratories; No.

    Scheda Di Avvio, Mcu; Produttore Chip:Silicon Laboratories; No.

    Silicon Labs Efm32Zg-Stk3200 Di Bit:32Bit; Nome Famiglia Dispositivi:Efm32; Architettura Core:Arm; Sub-Architettura Core:Cortex-M0+; Numero Core Chip:Efm32Zg222F32; Contenuto Kit:Scheda |SILICON LABS EFM32ZG-STK3200.

  • Dispositivi elettronici
  • Accessori dispositivi elettronici
  • Componenti per computer
  • CPU
  • Computer embedded,Education e Maker Boards
  • Silicon Labs
    • Scheda Di Avvio, Mcu; Produttore Chip:Silicon Laboratories; No.

    Scheda Di Avvio, Mcu; Produttore Chip:Silicon Laboratories; No.

    Silicon Labs Efm32Wg-Stk3800 Di Bit:32Bit; Nome Famiglia Dispositivi:Efm32; Architettura Core:Arm; Sub-Architettura Core:Cortex-M4; Numero Core Chip:Efm32Wg990F256; Contenuto Kit:Scheda |SILICON LABS EFM32WG-STK3800.

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    • Diode, Small Signal, 100V, Minimelf; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):150Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:8Ns; Corrente Di |VISHAY LL4148-GS08
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    • Raddriz.

    Raddriz.

    Vishay Es1B-E3/61T Ultraveloce, 1A, 100V, Do214Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:920Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:15Ns; Corrent |VISHAY ES1B-E3/61T.

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    • Mosfet, Can N, 60V, 0R045, 4A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.045Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |STMICROELECTRONICS STS4DNF60L
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    • Sram, 16Mbit, 2048K X 8Bit, Tfbga-48; Dimensione Memoria:16Mbit; Configurazione Memoria Sram:2M X 8Bit; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 2,7V A 3,6V; Modello Case Memoria Ci:Tfbga; No.
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    • Sram, 16Mbit, 2048K X 8Bit, Tsop-Ii-44; Dimensione Memoria:16Mbit; Configurazione Memoria Sram:2M X 8Bit; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 2,7V A 3,6V; Modello Case Memoria Ci:Tsop-I; No.
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