reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Ixys Semiconductor

Ixys Semiconductor Ixfb210N30P3

About The 0145Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |IXYS SEMICONDUCTOR IXFB210N30P3.Mosfet, Canale N, 300V, 210A, To-264; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:210A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Canale N, 300V, 210A, To-264; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:210A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0145Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten ,IXYS SEMICONDUCTOR IXFB210N30P3

Semiconduttori - Discreti

Ixys Semiconductor Ixfb210N30P3

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Ixys Semiconductor Ixfb210N30P3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Ixys Semiconductor Ixfb210N30P3
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.07 /10
Votes :- 54
Mosfet, Canale N, 300V, 150A, To-264Aa; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |IXYS SEMICONDUCTOR IXFK150N30P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Canale N, 500V, 60A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:60A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |IXYS SEMICONDUCTOR IXFH60N50P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Canale N, 600V, 50A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.16Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Canale N, 600V, 42A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:42A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.185Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |IXYS SEMICONDUCTOR IXFH42N60P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Canale N, 600V, 28A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:28A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.26Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |IXYS SEMICONDUCTOR IXFH28N60P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Canale N, 600V, 22A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:22A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.39Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |IXYS SEMICONDUCTOR IXFH22N60P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Canale N, 500V, 20A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N50P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Canale N, 300V, 210A, To-264; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:210A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0145Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |IXYS SEMICONDUCTOR IXFB210N30P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Canale N, 500V, 20A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N50P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Canale N, 300V, 210A, To-264; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:210A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0145Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |IXYS SEMICONDUCTOR IXFB210N30P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor