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Ixys Semiconductor

Ixys Semiconductor Ixfh50N60P3

About The 16Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3.Mosfet, Canale N, 600V, 50A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Canale N, 600V, 50A, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.16Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension ,IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3

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Ixys Semiconductor Ixfh50N60P3

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Specifications of Ixys Semiconductor Ixfh50N60P3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Ixys Semiconductor Ixfh50N60P3
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Modulo Tiristore, 116A, 1.2Kv; Tipo Di Modulo Scr:Collegamento Serie - Scr; Tensione Di Picco In Stato Off Ripetitiva Vdrm:1.2Kv; Corrente Di Trigger Su Gate Max, Igt:150Ma; Corrente It Media:116A; Corrente Rms Stato On |IXYS SEMICONDUCTOR MCC95-12IO1B
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