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Ixys Semiconductor

Ixys Semiconductor Ixfk150N30P3

About The Mosfet, Canale N, 300V, 150A, To-264Aa; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |IXYS SEMICONDUCTOR IXFK150N30P3

Mosfet, Canale N, 300V, 150A, To-264Aa; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te ,IXYS SEMICONDUCTOR IXFK150N30P3

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Ixys Semiconductor Ixfk150N30P3

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Specifications of Ixys Semiconductor Ixfk150N30P3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Ixys Semiconductor Ixfk150N30P3
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Rectifier Power Module, 1.2Kv, 71A; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):71A; Tensione Diretta Vf Max:1.21V; Configurazione Modulo Diodo:Doppio In Serie; Gamma Prodotti:Mdd56 Series; Sostan |IXYS SEMICONDUCTOR MDD56-12N1B
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