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Infineon Bsb044N08Nn3Gxuma1

About The 0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON BSB044N08NN3GXUMA1.Mosfet, Canale N, 80V, 90A, Wdson-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Canale N, 80V, 90A, Wdson-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio ,INFINEON BSB044N08NN3GXUMA1

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Infineon Bsb044N08Nn3Gxuma1

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Specifications of Infineon Bsb044N08Nn3Gxuma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Bsb044N08Nn3Gxuma1
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Mosfet, Canale N, 100V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Mosfet, Canale N, 100V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb027N10N3Gatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB027N10N3GATMA1.

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