Infineon Bsc900N20Ns3Gatma1

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Mosfet, Canale N, 150V, 83A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:83A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0091Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPB108N15N3GATMA1

Infineon Ipb108N15N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 150V, 130A, To-263-7; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:130A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0052Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON IPB065N15N3GATMA1

Infineon Ipb065N15N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 100V, 120A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON IPB027N10N3GATMA1

Infineon Ipb027N10N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 75V, 120A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0018Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPB020NE7N3GATMA1

Infineon Ipb020Ne7N3Gatma1.

Accessori dispositivi elettronici

Splitter e interruttori audio e video

Splitter e interruttori DVI

Mosfet, Canale N, 700V, 7.3A, To-220-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7.3A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.54Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPA65R600E6XKSA1

Infineon Ipa65R600E6Xksa1.

Mosfet, Canale N, 700V, 17.5A, To-220-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:17.5A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.171Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |INFINEON IPA65R190CFDXKSA1

Infineon Ipa65R190Cfdxksa1.

Mosfet, Canale N, 200V, 15.2A, Tdson-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:15.2A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON BSC900N20NS3GATMA1

Infineon Bsc900N20Ns3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 100V, 120A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb027N10N3Gatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB027N10N3GATMA1.

Mosfet, Canale N, 200V, 15.2A, Tdson-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:15.2A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON BSC900N20NS3GATMA1

Infineon Bsc900N20Ns3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 100V, 120A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.