reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Ipb108N15N3Gatma1

About The 0091Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPB108N15N3GATMA1.Mosfet, Canale N, 150V, 83A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:83A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Canale N, 150V, 83A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:83A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0091Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten ,INFINEON IPB108N15N3GATMA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipb108N15N3Gatma1

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Ipb108N15N3Gatma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Infineon Ipb108N15N3Gatma1
More Varieties

Rating :- 8.16 /10
Votes :- 52