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Infineon Ipb123N10N3Gatma1

About The Mosfet, Canale N, 100V, 58A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:58A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0107Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPB123N10N3GATMA1

Mosfet, Canale N, 100V, 58A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:58A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0107Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten ,INFINEON IPB123N10N3GATMA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipb123N10N3Gatma1

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Specifications of Infineon Ipb123N10N3Gatma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Ipb123N10N3Gatma1
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Mosfet, Canale N, 550V, 23A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:192W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Mosfet, Canale N, 550V, 23A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:192W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb50R140Cpatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB50R140CPATMA1.

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    Mosfet, Canale N, 30V, 57A, Tdson-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:57A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0043Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:28W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

    Infineon Bsc052N03Lsatma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON BSC052N03LSATMA1.

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    Mosfet, Canale N, 60V, 100A, Tdson-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0025Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:139W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

    Infineon Bsc031N06Ns3Gatma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON BSC031N06NS3GATMA1.

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    Mosfet, Canale N, 150V, 83A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:83A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0091Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:214W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb108N15N3Gatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB108N15N3GATMA1.

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