Mosfet, Canale N, 60V, 100A, Tdson-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0025Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:139W; Modello Case Transistor:Tdson; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON BSC031N06NS3GATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Bsc031N06Ns3Gatma1
Specifications of Infineon Bsc031N06Ns3Gatma1 | |
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