Infineon Ipb60R099C6Atma1

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Mosfet, Canale N, 100V, 50A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPD50N10S3L16ATMA1

Infineon Ipd50N10S3L16Atma1.

Mosfet, Canale N, 40V, 50A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0072Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPD50N04S408ATMA1

Infineon Ipd50N04S408Atma1.

Mosfet, Canale N, 100V, 59A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:59A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0105Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPD122N10N3GATMA1

Infineon Ipd122N10N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 60V, 100A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0028Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPD034N06N3GATMA1

Infineon Ipd034N06N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 650V, 37.9A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:37.9A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON IPB60R099C6ATMA1

Infineon Ipb60R099C6Atma1.

Mosfet, Canale N, 250V, 25A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.051Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPB600N25N3GATMA1

Infineon Ipb600N25N3Gatma1.

Mosfet, Canale N, 650V, 37.9A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:37.9A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:278W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb60R099C6Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB60R099C6ATMA1.

Mosfet, Canale N, 550V, 23A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:192W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb50R140Cpatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB50R140CPATMA1.

Mosfet, Canale N, 650V, 37.9A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:37.9A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:278W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Mosfet, Canale N, 550V, 23A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:192W; Modello Case Transistor:To-263; No.