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Infineon Ipd50P04P413Atma1

About The Mosfet, Canale P, -40V, -50A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0092Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; |INFINEON IPD50P04P413ATMA1

Mosfet, Canale P, -40V, -50A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0092Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; ,INFINEON IPD50P04P413ATMA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipd50P04P413Atma1

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Specifications of Infineon Ipd50P04P413Atma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Ipd50P04P413Atma1
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Mosfet, Canale N, 60V, 120A, To-220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0018Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPP020N06NAKSA1
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    Mosfet, Canale N, 200V, 15.2A, Tdson-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:15.2A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:62.5W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

    Infineon Bsc900N20Ns3Gatma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON BSC900N20NS3GATMA1.

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    Infineon Bsc360N15Ns3Gatma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON BSC360N15NS3GATMA1.

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