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Infineon Ipd70N10S3L12Atma1

About The 0096Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPD70N10S3L12ATMA1.Mosfet, Canale N, 100V, 70A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:70A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Canale N, 100V, 70A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:70A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0096Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten ,INFINEON IPD70N10S3L12ATMA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipd70N10S3L12Atma1

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Specifications of Infineon Ipd70N10S3L12Atma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Canale N, 100V, 100A, To-220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0039Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON IPP045N10N3GXKSA1
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    Infineon Bsc900N20Ns3Gatma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON BSC900N20NS3GATMA1.

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