Mosfet, Canale N, 500V, 10.5A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10.5A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.33Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T ,VISHAY SIHB12N50E-GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Sihb12N50E-Ge3
Specifications of Vishay Sihb12N50E-Ge3 | |
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