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Vishay

Vishay Sihp12N50E-Ge3

About The Mosfet, Canale N, 500V, 10.5A, To220Ab-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10

Mosfet, Canale N, 500V, 10.5A, To220Ab-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10.5A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.33Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; ,VISHAY SIHP12N50E-GE3

Semiconduttori - Discreti

Vishay Sihp12N50E-Ge3

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Specifications of Vishay Sihp12N50E-Ge3

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