Mosfet, P-Ch, -20V, -60A, Powerpak So-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-60A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:104W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:E Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015) ,VISHAY SI7157DP-T1-GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si7157Dp-T1-Ge3
Specifications of Vishay Si7157Dp-T1-Ge3 | |
---|---|
Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
Instock | instock |
Last Updated