Stmicroelectronics Stgb30M65Df2
About The 55V; Dissipazione Di Potenza Pd:258W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:650V; Modello Case Transistor:To-263; No.Igbt, Singolo, 650V, 60A, To-263-3; Corrente Di Collettore Cc:60A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1
Igbt, Singolo, 650V, 60A, To-263-3; Corrente Di Collettore Cc:60A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.55V; Dissipazione Di Potenza Pd:258W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:650V; Modello Case Transistor:To-263; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) ,STMICROELECTRONICS STGB30M65DF2
Semiconduttori - Discreti
Stmicroelectronics Stgb30M65Df2
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Stmicroelectronics Stgb30M65Df2 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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