reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Stmicroelectronics

Stmicroelectronics Stgb10M65Df2

About The 55V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:650V; Modello Case Transis |STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2.Igbt, Singolo, 650V, 20A, To-263-3; Corrente Di Collettore Cc:20A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1

Igbt, Singolo, 650V, 20A, To-263-3; Corrente Di Collettore Cc:20A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.55V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:650V; Modello Case Transis ,STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2

Semiconduttori - Discreti

Stmicroelectronics Stgb10M65Df2

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Stmicroelectronics Stgb10M65Df2

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Stmicroelectronics Stgb10M65Df2
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.06 /10
Votes :- 55
Connector, Sma, Jack, 50 Ohm, Cable; Connector Type:Sma Coaxial; Connector Body Style:Straight Jack; Coaxial Termination:Solder; Impedance:50Ohm; Coaxial Cable Types:0.047" Semi Rigid; Contact Materia 16R1532 |AMPHENOL RF 132257
  • Dispositivi elettronici
  • Componenti
  • Divisori
  • Connettori
  • Amphenol Rf
    • Mosfet, Canale N, 20V, 10A, Sop-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.008Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione |ROHM RUS100N02TB
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Rohm
    • Mosfet, Canale P, -100V, -1.5A, Tsmt-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.35Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; |ROHM RQ6P015SPTR
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Rohm
    • Mosfet, Canale P, -30V, -5A, Tsmt-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-5A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensi |ROHM RQ6E050ATTCR
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Rohm
    • Mosfet, Canale P, -30V, -3.5A, Tsmt-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.5A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.038Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T |ROHM RQ6E035ATTCR
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Rohm
    • Mosfet, Canale N Doppio, 80V, 3.4A Sop-8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.4A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On): |ROHM SH8K41TB
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Rohm
    • Igbt, Singolo, 650V, 20A, To-263-3; Corrente Di Collettore Cc:20A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.55V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:650V; Modello Case Transis |STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Igbt, Singolo, 650V, 60A, To-263-3; Corrente Di Collettore Cc:60A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.55V; Dissipazione Di Potenza Pd:258W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:650V; Modello Case Transis |STMICROELECTRONICS STGB30M65DF2
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Igbt, Singolo, 650V, 20A, To-263-3; Corrente Di Collettore Cc:20A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.55V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:650V; Modello Case Transis |STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Igbt, Singolo, 650V, 60A, To-263-3; Corrente Di Collettore Cc:60A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.55V; Dissipazione Di Potenza Pd:258W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:650V; Modello Case Transis |STMICROELECTRONICS STGB30M65DF2
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics