Mosfet, Can-N, 600V, 24A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:24A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:190W; Modello Case Transistor:To-263; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) ,STMICROELECTRONICS STB33N60DM2
Semiconduttori - Discreti
Stmicroelectronics Stb33N60Dm2
Specifications of Stmicroelectronics Stb33N60Dm2 | |
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