reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Nexperia

Nexperia Baw56S,115

About The 25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:4A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-363; No.25A, Sot-363; Configurazione Diodo:Anodo Comune, Quad; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:90V; Corrente Diretta If(Av):250Ma; Tensione Diretta Vf Max:1

Diodo Sw, 90V, 0.25A, Sot-363; Configurazione Diodo:Anodo Comune, Quad; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:90V; Corrente Diretta If(Av):250Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:4A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-363; No. Di Pin:6Pin; Gamma Prodotti:Baw56 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,NEXPERIA BAW56S,115

Semiconduttori - Discreti

Nexperia Baw56S,115

More from Transistor? Di Pin:6Pin; Gamma Prodotti:Baw56 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA BAW56S,115
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Nexperia Baw56S,115

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Nexperia Baw56S,115
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.24 /10
Votes :- 54
Mosfet, Auto, Ca-N/P, 60V, Sot666; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:330Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |NEXPERIA NX1029X,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Auto, Doppio Can N, 60V, Sot-363; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:320Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10 |NEXPERIA BSS138BKS,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Ca-P, -300V, -0.21A, Sot-223-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-210Ma; Tensione Drain Source Vds:-300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):17Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T |NEXPERIA BSP230,135
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Ca-P, -300V, -0.21A, Sot-223-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-210Ma; Tensione Drain Source Vds:-300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):17Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T |NEXPERIA BSP230,135
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Ca-P, -300V, -0.21A, Sot-223-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-210Ma; Tensione Drain Source Vds:-300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):17Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T |NEXPERIA BSP230,135
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia