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Nexperia

Nexperia Pmv160Up,215

About The 2A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.2A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Canale-P, -20V, -1.2A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.2A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.17Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; ,NEXPERIA PMV160UP,215

Semiconduttori - Discreti

Nexperia Pmv160Up,215

More from Nexperia? Mosfet, Canale-P, -20V, -1.2A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.2A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.17Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; |NEXPERIA PMV160UP,215
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Semiconduttori - Discreti

Specifications of Nexperia Pmv160Up,215

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Auto, Doppio Can N, 60V, Sot-363; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:320Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:280Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

Mosfet, Auto, Doppio Can N, 60V, Sot-363; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:320Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:280Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

Nexperia Bss138Bks,115 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA BSS138BKS,115.

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    • Mosfet, Canale-N, 60V, 0.265A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:265Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:310Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale-N, 60V, 0.265A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:265Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:310Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Nexperia Bsn20Bkr Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA BSN20BKR.

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    • Diodo Sw, Aec-Q101, 60V, 0.2A, Sot-143B; Configurazione Diodo:Isolato, Doppio; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:60V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:6Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:9A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-143B; No.
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    • Diodo Sw, 250V, 0.2A, Sod-123F; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:250V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:9A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sod-123F; No.
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    • Mosfet, Ca-N, 55V, 0,21A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:210Ma; Tensione Drain Source Vds:55V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:302Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Ca-N, 55V, 0,21A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:210Ma; Tensione Drain Source Vds:55V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:302Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Nexperia Bsh111Bkr Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA BSH111BKR.

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    • Trans, Aec-Q101, 10K/10K, Sot-457-6; Polarità Transistor Digitale:Complemento Npn E Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:10Kohm; Resist |NEXPERIA PIMD3,115
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