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Nexperia

Nexperia Bsh111Bkr

About The Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA BSH111BKR.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4

Mosfet, Ca-N, 55V, 0,21A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:210Ma; Tensione Drain Source Vds:55V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:302Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,NEXPERIA BSH111BKR

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Specifications of Nexperia Bsh111Bkr

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Nexperia Bsh111Bkr
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Mosfet, Auto, Ca-N/P, 60V, Sot666; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:330Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Modello Case Transistor:Sot-666; No.

Mosfet, Auto, Ca-N/P, 60V, Sot666; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:330Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Modello Case Transistor:Sot-666; No.

Nexperia Nx1029X,115 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA NX1029X,115.

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    • Mosfet, Auto, Doppio Can N, 60V, Sot-363; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:320Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:280Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Mosfet, Auto, Doppio Can N, 60V, Sot-363; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:320Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:280Mw; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

    Nexperia Bss138Bks,115 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA BSS138BKS,115.

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    • Mosfet, Canale-N, 60V, 0.265A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:265Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:310Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale-N, 60V, 0.265A, Sot-23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:265Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:310Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Nexperia Bsn20Bkr Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA BSN20BKR.

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    • Diodo Sw, Aec-Q101, 60V, 0.2A, Sot-143B; Configurazione Diodo:Isolato, Doppio; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:60V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:6Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:9A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-143B; No.
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    • Diodo Sw, Aec-Q101, 60V, 0.2A, Sot-143B; Configurazione Diodo:Isolato, Doppio; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:60V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:6Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:9A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-143B; No.
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