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Nexperia

Nexperia Nx1029X,115

About The Mosfet, Auto, Ca-N/P, 60V, Sot666; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:330Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Modello Case Transistor:Sot-666; No

Mosfet, Auto, Ca-N/P, 60V, Sot666; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:330Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:330Mw; Modello Case Transistor:Sot-666; No. Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,NEXPERIA NX1029X,115

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Nexperia Nx1029X,115

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Semiconduttori - Discreti

Specifications of Nexperia Nx1029X,115

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Rating :- 8.24 /10
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Trans, Aec-Q101, 4K7/47K, Sot-363-6; Polarità Transistor Digitale:Pnp Doppio; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-50V; Corrente Continua Di Collettore Ic:-100Ma; Resistore R1 Di Ingresso Base:4.7Kohm; Resistore R2 B |NEXPERIA PUMB13,115
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    • Diodo Schottky, 70V, 0.07A, Sot-666; Configurazione Diodo:Isolato, Triple; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:70V; Corrente Diretta If(Av):70Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:100Ma; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-666; No.
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    • Diodo Schottky, Auto, 40V, Sot363; Configurazione Diodo:Quad; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):120Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:200Ma; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-363; No.

    Diodo Schottky, Auto, 40V, Sot363; Configurazione Diodo:Quad; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):120Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:200Ma; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-363; No.

    Nexperia Bas40Xy,115 Di Pin:6Pin; Gamma Prodotti:Bas40 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA BAS40XY,115.

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    • Diodo Tvs, Aec-Q101, Unidir, Sod-123W; Gamma Prodotti:Ptvsxs1Utr Series; Polarità Tvs:Unidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:3.3V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:8V; Modello Involucro Diodo:Sod-123W; No.

    Diodo Tvs, Aec-Q101, Unidir, Sod-123W; Gamma Prodotti:Ptvsxs1Utr Series; Polarità Tvs:Unidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:3.3V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:8V; Modello Involucro Diodo:Sod-123W; No.

    Nexperia Ptvs3V3S1Utr,115 Di Pin:2Pin; Tensione Di Breakdown Min:5.2V; Tensione Di Rottura Max:6V; Dissipazione Potenza Impulso A Punta:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |NEXPERIA PTVS3V3S1UTR,115.

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    • Diodo Tvs, Aec-Q101, Unidir, Sod-123W; Gamma Prodotti:Ptvsxs1Utr Series; Polarità Tvs:Unidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:3.3V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:8V; Modello Involucro Diodo:Sod-123W; No.

    Diodo Tvs, Aec-Q101, Unidir, Sod-123W; Gamma Prodotti:Ptvsxs1Utr Series; Polarità Tvs:Unidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:3.3V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:8V; Modello Involucro Diodo:Sod-123W; No.

    2V; Tensione Di Rottura Max:6V; Dissipazione Potenza Impulso A Punta:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |NEXPERIA PTVS3V3S1UTR,115.Nexperia Ptvs3V3S1Utr,115 Di Pin:2Pin; Tensione Di Breakdown Min:5.

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