Vishay Sqjb60Ep-T1_Ge3

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Mosfet, Ca-P,-30V, -60A Powerpak1212; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-60A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0072Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:52W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

Vishay Si7111Edn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SI7111EDN-T1-GE3.

Diodi

Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 40V, 120A, To263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00121Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |VISHAY SQM40010EL_GE3

Vishay Sqm40010El_Ge3.

Diodi

Mosfet, Doppio Ca-N 40V, 100A, Powerpak; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On) |VISHAY SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Sqjq904E-T1_Ge3.

Mosfet, Aec-Q101, Doppio Ca-N Powerpakso; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.01Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):1 |VISHAY SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Sqjb60Ep-T1_Ge3.

Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 40V, 120A, To263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00121Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:375W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Vishay Sqm40010El_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQM40010EL_GE3.

Diodi

Mosfet, Doppio Ca-N 40V, 100A, Powerpak; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:135W; Modello Case Transistor:Powerpak; No.

Vishay Sqjq904E-T1_Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQJQ904E-T1_GE3.

Mosfet, Aec-Q101, Doppio Ca-N Powerpakso; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.01Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

Vishay Sqjb60Ep-T1_Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQJB60EP-T1_GE3.