Vishay Sqm40010El_Ge3
About The Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 40V, 120A, To263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SQM40010EL_GE3
Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 40V, 120A, To263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00121Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:375W; Modello Case Transistor:To-263; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) ,VISHAY SQM40010EL_GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Sqm40010El_Ge3
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Specifications of Vishay Sqm40010El_Ge3 | |
|---|---|
| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi |
| Instock | instock |
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