Vishay Si7111Edn-T1-Ge3

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Mosfet, Ca-P, -100V, -23A Powerpak1212; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-23A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.047Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:57W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

Vishay Siss71Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Thunderfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SISS71DN-T1-GE3.

Mosfet, Ca-N, 30V, 100A, Powerpak So; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):780Îohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:57W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

Vishay Sira60Dp-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SIRA60DP-T1-GE3.

3.3F, 3V, Super Con.

5Mm; Durata Di Funzi |VINATECH VEC3R0 335QG Con. Vinatech Vec3R0 335Qg.

Chip e circuiti integrati

Componenti passivi

Vinatech

Porta Batteria + Cavi, Celle 2-Aaa; Dimensioni Batteria Ammesse:Aaa; No.

Pro Power Sbh-421-2A Di Batterie:2; Montaggio Portabatterie:-; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |PRO POWER SBH-421-2A.

Articoli di ferramenta

Accessori per attrezzi

Caricabatterie per utensili elettrici

Batterie e caricabatterie

Pro Power

Mosfet, Ca-P, -100V, -23A Powerpak1212; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-23A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.047Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; |VISHAY SISS71DN-T1-GE3

Vishay Siss71Dn-T1-Ge3.

Mosfet, Ca-N, 30V, 100A, Powerpak So; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):780Îohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |VISHAY SIRA60DP-T1-GE3

Vishay Sira60Dp-T1-Ge3.

Mosfet, Ca-P,-30V, -60A Powerpak1212; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-60A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0072Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; T |VISHAY SI7111EDN-T1-GE3

Vishay Si7111Edn-T1-Ge3.

Diodi

Mosfet, Ca-P,-30V, -60A Powerpak1212; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-60A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0072Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:52W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

Vishay Si7111Edn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SI7111EDN-T1-GE3.

Diodi