Vishay Siss71Dn-T1-Ge3
About The 047Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Thunderfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) |VISHAY SISS71DN-T1-GE3
Mosfet, Ca-P, -100V, -23A Powerpak1212; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-23A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.047Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:57W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Thunderfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (17-Dec-2015) ,VISHAY SISS71DN-T1-GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Siss71Dn-T1-Ge3
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Vishay Siss71Dn-T1-Ge3 | |
|---|---|
| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
| Instock | instock |
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