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Ixys Semiconductor

Ixys Semiconductor Ixfk27N80Q

About The Mosfet, Ca-N, 800V, 27A, To-264Aa; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:27A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.32Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |IXYS SEMICONDUCTOR IXFK27N80Q

Mosfet, Ca-N, 800V, 27A, To-264Aa; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:27A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.32Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione ,IXYS SEMICONDUCTOR IXFK27N80Q

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Specifications of Ixys Semiconductor Ixfk27N80Q

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Ca-N, 500V, 16A, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.36Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |IXYS SEMICONDUCTOR IXFP16N50P3
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