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Ixys Semiconductor

Ixys Semiconductor Ixfn132N50P3

About The Modulo Mosfet, Ca-N, 500V, 112A Sot-227; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:112A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.039Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |IXYS SEMICONDUCTOR IXFN132N50P3

Modulo Mosfet, Ca-N, 500V, 112A Sot-227; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:112A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.039Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T ,IXYS SEMICONDUCTOR IXFN132N50P3

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Ixys Semiconductor Ixfn132N50P3

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Specifications of Ixys Semiconductor Ixfn132N50P3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Ca-N, 1Kv, 18A, To-268; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:1Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.66Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |IXYS SEMICONDUCTOR IXFT18N100Q3
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