reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Ixys Semiconductor

Ixys Semiconductor Ixfq94N30P3

About The 036Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |IXYS SEMICONDUCTOR IXFQ94N30P3.Mosfet, Ca-N, 300V, 94A, To-3P; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:94A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Ca-N, 300V, 94A, To-3P; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:94A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.036Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di ,IXYS SEMICONDUCTOR IXFQ94N30P3

Semiconduttori - Discreti

Ixys Semiconductor Ixfq94N30P3

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Ixys Semiconductor Ixfq94N30P3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Ixys Semiconductor Ixfq94N30P3
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.08 /10
Votes :- 55
Igbt, Singolo, Ca-N 1.7Kv, 75A, To-247Ad; Corrente Di Collettore Cc:75A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:350W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.7Kv; Modello Case T |IXYS SEMICONDUCTOR IXGH32N170
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Igbt, Singolo, Ca-N 1.7Kv, 50A, To-247; Corrente Di Collettore Cc:50A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:250W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.7Kv; Modello Case Tra |IXYS SEMICONDUCTOR IXGH24N170
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Igbt, Singolo, Ca-N 1.7Kv, 32A, To-247; Corrente Di Collettore Cc:32A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:190W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.7Kv; Modello Case Tra |IXYS SEMICONDUCTOR IXGH16N170
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Ca-N, 500V, 98A, Plus247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:98A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.05Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |IXYS SEMICONDUCTOR IXFX98N50P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Ca-N, 1Kv, 32A, Plus247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:32A; Tensione Drain Source Vds:1Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.32Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |IXYS SEMICONDUCTOR IXFX32N100Q3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Ca-N, 1Kv, 18A, To-268; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:1Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.66Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |IXYS SEMICONDUCTOR IXFT18N100Q3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Ca-N, 300V, 94A, To-3P; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:94A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.036Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |IXYS SEMICONDUCTOR IXFQ94N30P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Ca-N, 600V, 28A, To-3P; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:28A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.26Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |IXYS SEMICONDUCTOR IXFQ28N60P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Ca-N, 300V, 94A, To-3P; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:94A; Tensione Drain Source Vds:300V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.036Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |IXYS SEMICONDUCTOR IXFQ94N30P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor
    • Mosfet, Ca-N, 600V, 28A, To-3P; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:28A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.26Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |IXYS SEMICONDUCTOR IXFQ28N60P3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Ixys Semiconductor