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Ixys Semiconductor

Ixys Semiconductor Ixft18N100Q3

About The 66Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |IXYS SEMICONDUCTOR IXFT18N100Q3.Mosfet, Ca-N, 1Kv, 18A, To-268; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:1Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Ca-N, 1Kv, 18A, To-268; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:1Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.66Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S ,IXYS SEMICONDUCTOR IXFT18N100Q3

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Ixys Semiconductor Ixft18N100Q3

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Specifications of Ixys Semiconductor Ixft18N100Q3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
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Ixys Semiconductor Ixft18N100Q3
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Igbt, Singolo, Ca-N 1.2Kv, 50A, To-268; Corrente Di Collettore Cc:50A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.96V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.2Kv; Modello Case Tr |IXYS SEMICONDUCTOR IXGT30N120B3D1
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