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Ixys Semiconductor

Ixys Semiconductor Ixfx32N100Q3

About The Mosfet, Ca-N, 1Kv, 32A, Plus247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:32A; Tensione Drain Source Vds:1Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.32Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |IXYS SEMICONDUCTOR IXFX32N100Q3

Mosfet, Ca-N, 1Kv, 32A, Plus247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:32A; Tensione Drain Source Vds:1Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.32Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di ,IXYS SEMICONDUCTOR IXFX32N100Q3

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Specifications of Ixys Semiconductor Ixfx32N100Q3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Ixys Semiconductor Ixfx32N100Q3
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Mosfet, Ca-N, 650V, 12A, To-263Aa; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |IXYS SEMICONDUCTOR IXTA12N65X2
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