Ixys Semiconductor Ixgh32N170

Name: Circuiti Stampati E Componenti: Igbt, Singolo, Ca-N 1.7Kv, 75A, To-247Ad; Corrente Di Collettore Cc:75A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:350W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.7Kv; Modello Case T |IXYS SEMICONDUCTOR IXGH32N170
Brand: Ixys Semiconductor
SKU: CAJH-1241647
Price: 5237.46 EUR
Availability: InStock

About The 7Kv; Modello Case T |IXYS SEMICONDUCTOR IXGH32N170.7Kv, 75A, To-247Ad; Corrente Di Collettore Cc:75A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2

Igbt, Singolo, Ca-N 1.7Kv, 75A, To-247Ad; Corrente Di Collettore Cc:75A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:350W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.7Kv; Modello Case T ,IXYS SEMICONDUCTOR IXGH32N170

Specifications of Ixys Semiconductor Ixgh32N170
Category	Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instock	instock

Ixys Semiconductor Ixgh32N170

About The 7Kv; Modello Case T |IXYS SEMICONDUCTOR IXGH32N170.7Kv, 75A, To-247Ad; Corrente Di Collettore Cc:75A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Ixys Semiconductor Ixgh32N170

Mosfet, Ca-N, 650V, 62A, To-247; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:62A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.05Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |IXYS SEMICONDUCTOR IXTH62N65X2

Mosfet, Ca-N, 650V, 48A, To-247; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:48A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.065Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |IXYS SEMICONDUCTOR IXTH48N65X2

Mosfet, Ca-N, 650V, 34A, To-247; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:34A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.096Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |IXYS SEMICONDUCTOR IXTH34N65X2

Mosfet, Ca-N, 650V, 8A, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di So |IXYS SEMICONDUCTOR IXTA8N65X2

Mosfet, Ca-N, 650V, 4A, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.85Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |IXYS SEMICONDUCTOR IXTA4N65X2

Mosfet, Ca-N, 650V, 12A, To-263Aa; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |IXYS SEMICONDUCTOR IXTA12N65X2

Igbt, Singolo, Ca-N 1.2Kv, 50A, To-268; Corrente Di Collettore Cc:50A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.96V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.2Kv; Modello Case Tr |IXYS SEMICONDUCTOR IXGT30N120B3D1

Igbt, Singolo, Ca-N 1.7Kv, 75A, To-247Ad; Corrente Di Collettore Cc:75A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:350W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.7Kv; Modello Case T |IXYS SEMICONDUCTOR IXGH32N170

Igbt, Singolo, Ca-N 1.2Kv, 50A, To-268; Corrente Di Collettore Cc:50A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.96V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.2Kv; Modello Case Tr |IXYS SEMICONDUCTOR IXGT30N120B3D1

Igbt, Singolo, Ca-N 1.7Kv, 75A, To-247Ad; Corrente Di Collettore Cc:75A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:350W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.7Kv; Modello Case T |IXYS SEMICONDUCTOR IXGH32N170