Ixys Semiconductor Ixta12N65X2
About The 3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |IXYS SEMICONDUCTOR IXTA12N65X2.Mosfet, Ca-N, 650V, 12A, To-263Aa; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0
Mosfet, Ca-N, 650V, 12A, To-263Aa; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D ,IXYS SEMICONDUCTOR IXTA12N65X2
Semiconduttori - Discreti
Ixys Semiconductor Ixta12N65X2
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Ixys Semiconductor Ixta12N65X2 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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