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Ixys Semiconductor

Ixys Semiconductor Ixta4N65X2

About The Mosfet, Ca-N, 650V, 4A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Mosfet, Ca-N, 650V, 4A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.85Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S ,IXYS SEMICONDUCTOR IXTA4N65X2

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Specifications of Ixys Semiconductor Ixta4N65X2

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Ca-N, 650V, 102A, To-264P; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:102A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |IXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N65X2
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