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Ixys Semiconductor

Ixys Semiconductor Ixta8N65X2

About The 5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di So |IXYS SEMICONDUCTOR IXTA8N65X2.Mosfet, Ca-N, 650V, 8A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Ca-N, 650V, 8A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di So ,IXYS SEMICONDUCTOR IXTA8N65X2

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Specifications of Ixys Semiconductor Ixta8N65X2

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
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Mosfet, Ca-N, 650V, 120A, To-264P; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |IXYS SEMICONDUCTOR IXTK120N65X2
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