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Stmicroelectronics Stth4R02Uy

About The 05V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:30Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:70A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Aa; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata |STMICROELECTRONICS STTH4R02UY.Raddrizzatore Aec-Q101 4A 200V Do-214Aa; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):4A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1

Raddrizzatore Aec-Q101 4A 200V Do-214Aa; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):4A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.05V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:30Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:70A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Aa; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata ,STMICROELECTRONICS STTH4R02UY

Semiconduttori - Discreti

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Raddrizzatore, Sing, 10A, 300V, To-252; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:300V; Corrente Diretta If(Av):10A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:100A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:To-252; Numero Di Pin:3 Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata |STMICROELECTRONICS STTH1003SB-TR
Raddrizzatore, Sing, 3A, 400V, Do-15; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.5V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corrente Di |STMICROELECTRONICS STTH3R04QRL
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Eeprom, 4Kbit, Da -40 A 85°C; Dimensione Memoria:4Kbit; Configurazione Memoria Eeprom:256 X 16Bit; Tipo Di Interfaccia Di Memoria:Microwire Seriale; Frequenza Di Clock:2Mhz; Modello Case Memoria Ci:Nsoic; No.
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    • Triac, 800V, 6A, To-220Ab; Tensione Di Picco In Stato Off Ripetitiva Vdrm:800V; Corrente Rms Stato On It(Rms):6A; Modello Case Triac:To-220Ab; Corrente Di Trigger Su Gate Max (Qi), Igt:50Ma; Corrente Di Trigger Su Gate M |STMICROELECTRONICS BTA06-800BWRG
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    • Eeprom, 16Kbit, Da -40 A 85°C; Dimensione Memoria:16Kbit; Configurazione Memoria Eeprom:2K X 8Bit; Tipo Di Interfaccia Di Memoria:Seriale I2C (2 Fili); Frequenza Di Clock:400Khz; Modello Case Memoria Ci:Tssop; No.
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    • Schottky, 8A, 30V, To-252; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:30V; Corrente Diretta If(Av):8A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-252; No.

    Schottky, 8A, 30V, To-252; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:30V; Corrente Diretta If(Av):8A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-252; No.

    Di Pin:3Pin; Tensione Diretta Vf Max:630Mv; Cor |STMICROELECTRONICS STPS8L30B-TR Raddrizz. Stmicroelectronics Stps8L30B-Tr.

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    • Schottky, 8A, 30V, To-252; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:30V; Corrente Diretta If(Av):8A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-252; No.

    Schottky, 8A, 30V, To-252; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:30V; Corrente Diretta If(Av):8A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-252; No.

    Stmicroelectronics Stps8L30B-Tr.Di Pin:3Pin; Tensione Diretta Vf Max:630Mv; Cor |STMICROELECTRONICS STPS8L30B-TR Raddrizz.

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