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Stmicroelectronics M93S56-Wmn6P

About The Eeprom, 2Kbit, Da -40 A 85°C; Dimensione Memoria:2Kbit; Configurazione Memoria Eeprom:128 X 16Bit; Tipo Di Interfaccia Di Memoria:Microwire Seriale; Frequenza Di Clock:2Mhz; Modello Case Memoria Ci:Nsoic; No. Di Pin:8Pin |STMICROELECTRONICS M93S56-WMN6P

Eeprom, 2Kbit, Da -40 A 85°C; Dimensione Memoria:2Kbit; Configurazione Memoria Eeprom:128 X 16Bit; Tipo Di Interfaccia Di Memoria:Microwire Seriale; Frequenza Di Clock:2Mhz; Modello Case Memoria Ci:Nsoic; No. Di Pin:8Pin ,STMICROELECTRONICS M93S56-WMN6P

Stmicroelectronics M93S56-Wmn6P

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Eeprom, 4Kbit, Da -40 A 85°C; Dimensione Memoria:4Kbit; Configurazione Memoria Eeprom:512 X 8Bit; Tipo Di Interfaccia Di Memoria:Seriale I2C (2 Fili); Frequenza Di Clock:400Khz; Modello Case Memoria Ci:Tssop; No.
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    • Raddrizzatore, Sing, 1A, 600V, Do-41; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:80Ns; Corrente Di |STMICROELECTRONICS STTH1L06RL
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    • Raddrizzatore Aec-Q101 1A 200V Do-214Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:970Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrent |STMICROELECTRONICS STTH102AY
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    • Schottky, 2A, 40V, Do-221-Aa; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-221Aa; No.

    Schottky, 2A, 40V, Do-221-Aa; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-221Aa; No.

    Di Pin:2Pin; Tensione Diretta Vf Max:500Mv |STMICROELECTRONICS STPS2L40UF Raddrizz. Stmicroelectronics Stps2L40Uf.

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    Schottky, 2A, 40V, Do-221-Aa; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-221Aa; No.

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