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Amp Te Connectivity

Amp Te Connectivity 321897

About The Terminal, Ring Tongue, #8, Crimp; Stud Size - Metric:M4; Stud Size - Imperial:#8; Wire Size Awg Max:16Awg; Conductor Area Csa:1.

Terminal, Ring Tongue, #8, Crimp; Stud Size - Metric:M4; Stud Size - Imperial:#8; Wire Size Awg Max:16Awg; Conductor Area Csa:1.42Mm²; Product Range:Solistrand, Strato-Therm Series; Insulator Colour:- 52F3353 ,AMP - TE CONNECTIVITY 321897.

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Amp Te Connectivity 321897

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Specifications of Amp Te Connectivity 321897

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Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):1.5A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Foro Passante; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1.5A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Foro Passante; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Photodiode, Sensor, Ambient Light; Lunghezza D'onda Tipica:550Nm; Angolo Di Visualizzazione:60°; Consumo Di Potenza:100Mw; No.

    Photodiode, Sensor, Ambient Light; Lunghezza D'onda Tipica:550Nm; Angolo Di Visualizzazione:60°; Consumo Di Potenza:100Mw; No.

    Vishay Temt6200Fx01 Di Pin:2Pin; Modello Case Transistor:0805; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q100; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018); Angolo Di Accettazione:60°; Corrente Di Buio:3Na; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -40°C A +100°C; Lunghezza D'onda Di Picco:550Nm; Numero Base:6200; Polarità Transistor:Npn; Temperatura Di Esercizio Max:100°C; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Tipo Di Transistor:Npn |VISHAY TEMT6200FX01.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Optoelettronica e display
  • Vishay
    • Mosfet Doppio Canale N, 60V, Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:6.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):20V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.4W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet Doppio Canale N, 60V, Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:6.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):20V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.4W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    033Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-50°C; Tensione Drain Source Vds, Canale N:60V; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:3V |VISHAY SI4946BEY-T1-E3.5A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -50°C A +175°C; Numero Base:4946; Resistenza Stato On @ Vgs = 10V:41Mohm; Resistenza Stato On @ Vgs = 4.2Nc; Configurazione Modulo:Doppio; Corrente Continua Di Drain Id, Canale N:6.Vishay Si4946Bey-T1-E3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Carica Gate Canale N:9.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet Doppio Canale N, 60V, Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:6.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):20V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.4W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet Doppio Canale N, 60V, Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:6.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):20V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.4W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    5V:52Mohm; Resistenza Di Attivazione Rds(On), Canale N:0.033Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-50°C; Tensione Drain Source Vds, Canale N:60V; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:3V |VISHAY SI4946BEY-T1-E3.5A; Corrente Id Max:6.2Nc; Configurazione Modulo:Doppio; Corrente Continua Di Drain Id, Canale N:6.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
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