Vishay Si4946Bey-T1-E3

Mosfet Doppio Canale N, 60V, Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:6.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):20V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.4W; Modello Case Transistor:Soic; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Carica Gate Canale N:9.2Nc; Configurazione Modulo:Doppio; Corrente Continua Di Drain Id, Canale N:6.5A; Corrente Id Max:6.5A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -50°C A +175°C; Numero Base:4946; Resistenza Stato On @ Vgs = 10V:41Mohm; Resistenza Stato On @ Vgs = 4.5V:52Mohm; Resistenza Di Attivazione Rds(On), Canale N:0.033Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-50°C; Tensione Drain Source Vds, Canale N:60V; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:3V ,VISHAY SI4946BEY-T1-E3

Semiconduttori - Discreti

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