Onsemi Ntmfs08N2D5C

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Mosfet, Canale N, 100V, 78A, Power 56-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:78A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0059Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |ONSEMI NTMFS10N7D2C

Onsemi Ntmfs10N7D2C.

Mosfet, Canale N, 100V, 151A, Power 56-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:151A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |ONSEMI NTMFS10N3D2C

Onsemi Ntmfs10N3D2C.

Mosfet, Canale N, 80V, 166A, Power 56-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:166A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |ONSEMI NTMFS08N2D5C

Onsemi Ntmfs08N2D5C.

Driver Igbt, I/P UnitÃ Led, 4A, Soic-16; Configurazione Driver:-; Corrente Di Picco In Uscita:4A; Tensione Di Alimentazione Min:3V; Tensione Di Alimentazione Max:15V; Modello Case Driver:Soic; No.

Onsemi Fod8334R2 Di Pin:16Pin; Ritardo Ingresso:135Ns; Ritardo In Uscita:150Ns; Temperatura Di Esercizio Min:-40Â°C; Temperatura Di Esercizio Max:100Â°C; Gamma Prodotti:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |ONSEMI FOD8334R2.

Chip e circuiti integrati

Semiconduttori - Circuiti integrati

Mosfet, Canale N, 80V, 126A, Power 56-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:126A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:125W; Modello Case Transistor:Power 56; No.

Onsemi Ntmfs08N004C Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |ONSEMI NTMFS08N004C.

Mosfet, Canale N, 100V, 151A, Power 56-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:151A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:138W; Modello Case Transistor:Power 56; No.

Onsemi Ntmfs10N3D2C Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NTMFS10N3D2C.

Mosfet, Canale N, 80V, 166A, Power 56-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:166A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:138W; Modello Case Transistor:Power 56; No.

Onsemi Ntmfs08N2D5C Di Pin:5Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Powertrench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |ONSEMI NTMFS08N2D5C.