Mosfet, Ca-N, 650V, 30A, Pqfn-4; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.087Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:227W; Modello Case Transistor:Pqfn; No. Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Superfet Iii Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) ,ONSEMI FCMT099N65S3
Semiconduttori - Discreti
Onsemi Fcmt099N65S3
Specifications of Onsemi Fcmt099N65S3 | |
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