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Dispositivi elettronici
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Onsemi

Onsemi Mur810G

About The Rettificatore, Singolo, 8A 100V To-220Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):8A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:975Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corren |ONSEMI MUR810G

Rettificatore, Singolo, 8A 100V To-220Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):8A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:975Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corren ,ONSEMI MUR810G

Semiconduttori - Discreti

Onsemi Mur810G

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Onsemi Mur810G

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Onsemi Mur810G
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Rating :- 8.29 /10
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Schottky Aec-Q101, 30V Sod-123; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:30V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Sod-123; No.
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    • Rettificat Schottky, 4A, 40V, Sod-128Fl;; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):4A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Smaf; No.
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    • Diodo Schottky Rf, 7V, Sot-323; Configurazione Diodo:Serie, Doppio; Tensione Inversa Vr:7V; Corrente Diretta If Max:-; Tensione Diretta Vf Max:600Mv; Capacità Ct:0.9Pf; Modello Involucro Diodo:Sot-323; Numero Di Pin:3 Pi |ONSEMI MMBD352WT1G
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    15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:95Ns; Corrente D |ONSEMI MURD550PFT4G.Onsemi Murd550Pft4G 520V, 5A To-252; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:520V; Corrente Diretta If(Av):5A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.

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    • Morsettiera Innestabile, 4Pos, 14Awg; Distanza Di Passo:5Mm; No.

    Morsettiera Innestabile, 4Pos, 14Awg; Distanza Di Passo:5Mm; No.

    5Mm²; Metodo Connessione Cavo:Morsetto; Corrente Nominale:12A; Tensione No |METZ CONNECT SP99504VBNC.Metz Connectorect Sp99504Vbnc Di Posizioni:4Vie; Dimensione Cavi (Awg):Da 24Awg A 14Awg; Area Conduttore Csa:2.

  • Fotocamere/dispositivi ottici
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  • Connettori
  • Metz Connect
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